一、EDI膜塊工作原理
       電去離子(EDI)系統，是將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜片之間，再用隔板分割形成基本的EDI單元，EDI單元重復疊加就可以制造出不同出水量規格的EDI膜塊，例如EDI膜塊有2T/H、3T/H、5T/H。EDI膜塊主要是在強大的直流電場作用下，通過隔板單元里需要凈化水的電介質陰、陽離子發生定向移動，這些離子在選擇透性透過不同的EDI專用樹脂層時被交換，置換出H+和OH-,通過這一交換過程來對水質進行提純的先進水處理技術（不理解這段話可以咨詢13714530766薛工）。

二、EDI膜塊結構：
       EDI模塊中將一定數量的EDI單元間用格板隔開，形成濃水室和淡水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統，成為濃水。EDI設備一般以二級反滲透（RO）純水作為EDI給水。25℃下二級RO純水電導率一般在5-0.5μS/cm（視一級RO水電導率的大小，二級RO水的電導率會有變動，但正常的二級RO水也不應高出這個范圍），25℃下經過EDI系統處理后產生的純水電阻率可以達18·25 MΩ·cm或更高(理論PH為7的絕對純水的電阻率約為18.29MΩ·cm，其中超純水的電阻率約是18.248MΩ·cm，換言之，處理得當的EDI產水在電阻率這一項指標上，完全能達到超純水的標準。），根據工藝用水用途和實際系統配置設置，EDI系統廣泛適用于制備電阻率要求在10-18 MΩ·cm(25℃)的純水。

三、EDI膜塊的堵塞：
      EDI膜塊的進水是有嚴格要求的，符合要求的水質很大的程度上減少了膜塊內部阻塞的機會，但是隨著前處理設備運行時間的推移，EDI膜塊進水水質會有所變化，設備維護人員需要及時發現問題解決問題，否則EDI膜塊內部水道還是有可能隨著時間的推移，水中含有的電解質，在濃水室中形成鹽的沉淀，EDI膜塊就會慢慢產生堵塞，通量減少。如果進水中含有硬度超過0.8ppm的鈣鎂離子、溶解的CO2 和PH 值超過8.8以上時 ，將會加快結垢的速度，甚至水質會發生斷崖式變化。這種情況下，我們必須及時通過化學清洗的方法對EDI膜塊進行清洗，使之恢復到原來的技術性能，以免造成不必要的損失。

四、通常判斷 EDI 膜塊是否被污染堵塞，可以從以下幾個方面進行評估判定：
1、在進水溫度、流量不變的情況下，進水側與產水側的壓差比原始數據升高 30%；
2、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水進水側與濃水排水側的壓差比原始數據升高30%；
3、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，產水水質（電阻率）明顯下降；
4、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降20%；
5、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，電流調節到3.3，水質不變；

五、EDI膜塊被污染通量減小、電阻率下降的原因主要有下面幾種形式：
1、SS懸浮物、顆粒物、有機、無機膠體污染；
2、金屬鹽類無機物污染；
3、有機物污染；
4、細菌等微生物污染；

清洗注意：
●在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學藥劑并熟悉安全操作規程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態下進行化學清洗。

●顆粒/膠體污堵進水顆粒度≥5μm 時會造成進水流道堵塞，引起膜塊內部水流分布不均勻，從而導致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由 RO 產水端進入 EDI 膜塊，而是通過RO產水箱經過增壓泵供水，建議在進入EDI膜塊前端增設保安過濾器（≤0.2μm）在組裝EDI設備時，所有的連接管道系統應沖洗干凈以預防管道內的顆粒雜質進入膜塊。

●無機物污堵如果 EDI 進水含有較多的溶質且超出設計值或者回收率超過設計值時,將導致濃水室和陰極室的結垢，生成鹽類物質析出沉淀，通常結垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質的濃度很小，接觸時間也很短，但隨著運行時間的累加，仍有發生結垢的可能，這種硬度結垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法，使用低PH溶液在系統內部循環清洗，可以去除濃水室和陰極室的結垢。當進水中的鐵和錳含量高，或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時，也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵?？梢圆捎梅桨?進行清洗。

●有機物污堵，當進水有機污染物TOC或TEA含量超過設計標準時，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發生有機污堵?？梢圆捎梅桨?的方法，用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。

●微生物污堵，當設備運行環境適于微生物生長，或者進水中存在較多的細菌和藻類的時候，EDI膜塊和系統也會發生微生物污堵?？梢圆捎梅桨?、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴重時，可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵， 可以按照方案6加入酸洗步驟。對于極嚴重的微生物污堵，可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。

清洗方案1

濃水室結垢清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路3、連接清洗裝置，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產水閥。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，調節濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、打開EDI進水閥和產水閥，同時對兩個水室進行沖洗。

9、檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

10、各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

11、恢復 EDI 各個管路與其他系統的連接。

12、開啟 PLC 控制柜電源，向 EDI 膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗方案2

淡水室結垢清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗方案 3

有機物污堵清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗方案 4

有機物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

15、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

16、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

17、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

微生物污堵可采用方案 3 進行

微生物污堵和結垢可餓采用方案 4 進行

清洗放案 5

嚴重的微生物污堵

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、 濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

15、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗方案 6

嚴重的微生物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗方案 7

極嚴重的微生物污堵

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

清洗放案 8

極嚴重的微生物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。

20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

下面是清洗方案選擇表

各清洗方案的主要操作步驟：

各清洗方法時間

單個模塊清洗時藥液配用量

注：對于膜塊數量大于 1 塊時，按表中配液的數量乘以膜塊數量。

清洗用化學藥品規格：所有化學藥品必須使用推薦的等級或高于推薦的等級

安全注意事項

1、在配置清洗藥液時，必須穿戴好防護服、防護眼鏡和防護手套。

2、需要清洗的設備管路必須是與其他連接設備的連接管路完全隔離的。

3、需要清洗的設備其電源必須是完全切斷并有“正在操作，不得送電”的安全警示。

4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。

清洗設備組件

1、清洗循環泵（耐腐蝕泵）

2、清洗水箱（PP）

3、耐腐蝕清洗軟管（與清洗泵適配）

4、耐腐蝕閥門（UPVC）

5、耐腐蝕壓力表

6、過濾器（≤1μm）

工具：pH 試紙（廣泛）；溫度計；計時表